uzluga.ru
добавить свой файл
1


Амплитудные фазочастотные зависимости биполярных транзисторов


Процесс распространения инжектированных в базу неосновных носителей заряда от эмиттерного до коллекторного перехода идет диффузионным путем. Этот процесс достаточно медленный, и инжектированные из эмиттера носители достигнут коллектора не ранее, чем за время диффузии носителей через базу, определяемое как



Биполярный транзистор в схеме с общей базой

  • Пусть в эмиттерной цепи от генератора тока в момент времени t = 0 подали импульс тока длительностью Т, большей, чем время диффузии D. Ток в коллекторной цепи появится только через время D , причем вследствие распределения по скоростям в процессе диффузионного переноса фронт импульса будет размываться в пределах некоторого временного интервала t1. Через время D + t1 в коллекторной цепи установиться ток, равный 0Iэ. Через время t = Т, когда импульс тока в эмиттерной цепи закончится, в коллекторной цепи будет продолжать течь ток 0Iэ до времени Т+D.



Затем, также вследствие размытия фронта импульса, коллекторный ток будет спадать до нуля в течение времени t1.















Графическая зависимость модуля коэффициента переноса и угла фазового сдвига приведена на следующем рисунке

  • Графическая зависимость модуля коэффициента переноса и угла фазового сдвига приведена на следующем рисунке



Биполярный транзистор в схеме с общим эмиттером

  • Коэффициент передачи эмиттерного тока α и коэффициент передачи базового тока β связаны соотношением: